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膜后AOI

设备特点

· 精准数控式积分曲面RGB无影光源,全进口千万像素级工业CCD及镜头

· 设备结构高度集成,安装方便,系统稳定,操作&维护简单

· 在线式检测,可与产线MES无缝连接

· 采用高色度还原算法,可真实还原电池片颜色,精确分辨不同电池片色差或同一电池片内色差,从而进行高精度分选。


项目 规格

相机分辨率

2000万

设备尺寸

L320xW461xH801m

适用Wafer尺寸

156*156~166*166 mm

适用Wafer类型

单晶、多晶,金刚线单晶、多晶,PERC电池片

最高产能

7000PCS/小

像素精度

<0.047mm

检测缺陷精度 <0.09mm

UPTime

>98%

误判率 <0.5%

漏判率

<0.1%


项目 质量降级标准 检测能力要求
划伤 L<1.5mm、W<1mm L≥1mm、W≥0.5mm可检出
脏污 S<3mm²

S≥0.3mm²可检出

色差

距离50cm目视不允许存在明显发白、发黄、发红现象

局部(S≥2mm²)发红、发黄、发白、发绿等可检出
色斑 S≤4mm² S≥0.3mm²可检出
小白点 S≤4mm² S≥0.3mm²可检出
水印 S≤5mm² S≥0.3mm²可检出
裂纹 不允许 肉眼可视的可检出
手指印 不允许 S≥1mm²可检出
缺角 不允许 S≥0.2mm²可检出
崩边、缺口 L<1.5mm、H<0.5mm、S≤4mm² L≥1.5mm、H≥0.5mm、S≥2mm²可检出

成像效果

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